ТРАНЗИСТОР 2Т3101А-2 Кремниевый бескорпусной планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор 2Т3101А-2 на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами, предназначенный для применения в усилительных устройствах. Схема расположения выводов ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ при t = (25±10) °С Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Норма не менее не более 35 300 Обратный ток коллектора, мкА (UКБ = 15 В) - 0,5 Обратный ток эмиттера, мкА (UЭБ = 2,5 В) - 1 Обратный ток эмиттера, мкА (UЭБ = 4 В) Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, ƒ = 3•108 Гц) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс (UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА, ƒ = 3•107 Гц) Коэффициент шума, дБ (UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА, ƒ = 2,25•109 Гц, RГ – оптимальное по КШ) Коэффициент усиления по мощности, дБ (UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, ƒ = 2,25•109 Гц, RГ – оптимальное по КУР) Емкость коллекторного перехода, пФ (UКБ = 5 В, ƒ = 107 Гц) Емкость эмиттерного перехода, пФ (UЭБ = 1 В, ƒ = 107 Гц) – 13,3 - - 10 6 – - 1,5 – 2,5